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原子层沉积（ALD）是一种具有亚纳光度精度的固体材料层的气相方法。它是在1960年代在苏联独立发明的，名称为分子分层，并在1970年代在芬兰以原子层的外观为名。ALD依赖于以自动终止方式反应的清除步骤分隔的气态反应物的表面。本文介绍了理想ALD表面化学的基本原理，包括饱和和不可逆的反应，每个周期的生长，与ALD相关的单层概念，典型的表面反应机制，饱和度限制因素，生长模式，区域选择性ALD，生长动力学和相关性。它还讨论了与理想ALD的典型偏差。多年来，已经开发了许多不同的ALD工艺化学。可以提供一系列反应堆系统，具体取决于基材的类型和所需的生产力。ALD在实践中广泛适用，因为它以良好的可扩展性为纳米级精度，可用于沉积多种材料。近年来，对ALD的兴趣一直在强烈增长。有关ALD商业应用的最重要部门目前是半导体行业。
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